| 型号：ISC1812ES181J | 类别：固定式 | 制造商：Vishay Dale |
| 封装：1812（4532 公制） | 描述：INDUCTOR WW 180UH 5% 1812 | |
详细参数
| 类别 | 固定式 |
|---|---|
| 描述 | INDUCTOR WW 180UH 5% 1812 |
| 系列 | ISC-1812 |
| 制造商 | Vishay Dale |
| 类型 | 铁氧体芯体 |
| 电感 | 180µH |
| 电流 | |
| 额定电流 | 111mA |
| 电流_饱和值 | - |
| 容差 | ±5% |
| 材料_磁芯 | 铁氧体 |
| 屏蔽 | 屏蔽 |
| DC电阻（DCR） | 最大 5.72 欧姆 |
| 不同频率时的Q值 | 40 @ 796kHz |
| 频率_自谐振 | 4.5MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 封装/外壳 | 1812（4532 公制） |
| 大小/尺寸 | 0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！171-4729-9698（微信同号） |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
ISC1812ES181J相关型号
- IRFU3910
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
- FDS6630A
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
- IPW50R299CP
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
- H48-6C-150-150-0.5-2A
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
- IRFU4105ZPBF
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- ISC1812ES120K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 12UH 10% 1812
- GTS447N301HR
拨动开关
CW Industries
径向
SW TOGGLE SPST-NO 16A 250V
- IRFU420
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
- FDS6670A
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- H48-6C-320-320-1.0-1A
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH
- IPW60R125CP
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 25A TO-247
- IRFU420PBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
- ISC1812ES151K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
- GJM0335C1E4R6BB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201
- IRFU430APBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
- FDS6675
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- H48-6C-640-320-1.0-0
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 640X320X1MM
- IPW60R190C6
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
- IRFU5305PBF
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
- GJM0335C1E4R8BB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
- IRFU5505
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
- FDS6675BZ
FET - 单
Fairchild Optoelectronics Group
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- IPW65R110CFD
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
- H48-6C-640-320-2.0-1A
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH
- IRFU6215
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
- ISC1812ES1R2J
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812
- GJM0335C1E5R0CB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 5PF 25V NP0 0201
- H48-6G-100-100-2.0-0
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6 SHEET 100X100X2MM
- IPW65R190C6
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
- IRFU9120
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
- FDS6676AS
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- GJM0335C1E5R1CB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
- ISC1812ES1R8K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
- IRFU9120NPBF
FET - 单
International Rectifier
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- H48-6G-100-100-3.0-0
热 - 垫，片
t-Global Technology
H48-6 SHEET 100X100X3MM
- IPW65R190E6
FET - 单
Infineon Technologies
TO-247-3
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- IRFU9310PBF
FET - 单
Vishay Siliconix
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- FDS6680AS
FET - 单
Fairchild Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- ISC1812ES331K
固定式
Vishay Dale
1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
- GJM0335C1E5R2CB01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0201（0603 公制）
CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
